Les diodes cristallines pour un semi-conducteur de type P et la formation d’une jonction p-n semi-conducteur de type n, dans la couche de charge spatiale se forment des deux côtés de l’interface, et ont depuis construit un champ électrique. Lorsqu’il n’y a pas de tension externe, le résultat de la jonction p-n des deux côtés du courant de diffusion du gradient de concentration du transporteur et de la construction d’un champ électrique de courant de dérive en équilibre électrique est le même.
Lorsque l’extérieur lorsqu’il y a un décalage de tension positif, le champ électrique externe et l’effet d’inhibition mutuelle du champ électrique pour augmenter la diffusion des porteurs a causé le courant avant.
Lorsque l’extérieur lorsqu’il ya une tension inverse-biais, la construction du champ électrique par champ électrique externe et encore renforcer et former une certaine plage de tension inverse de la valeur de tension de biais inverse du courant de saturation inverse I0.
Lorsque la tension inverse à un certain degré, la force de champ électrique de la jonction p-n dans le processus de multiplication de la couche de charge spatiale atteint une valeur critique, produit un grand nombre de paires de trous d’électrons, est si grande que le courant de rupture inverse est produit, connu sous le nom de phénomène de rupture de diode.