1 • caractéristique avant
Dans les circuits électroniques, l’anode de la diode à l’extrémité chaude, négative à l’extrémité basse, la diode effectuera cette connexion, connue sous le nom de biais vers l’avant. Dois dire, lorsque la diode de tension avant est très faible, diode ne peut toujours pas passer, les flux de courant vers l’avant à travers la diode est très faible. Ce n’est que lorsque la tension atteint une certaine valeur (cette valeur est appelée « tension de seuil » tube GE est d’environ 0,2 V, silicium est d’environ 0,6 V), la conduction diode. Les tensions de diode de rupture restent essentiellement inchangées (le tube de GE est approximativement 0.3V, le tube de silicium est approximativement 0.7V), appelé diode « chute de pression ».
2 • caractéristique inverse
Dans les circuits électroniques, l’anode de la diode à l’extrémité fraîche, négative à l’extrémité chaude, peu de courant dans la diode, et la diode dans un état comme à ce moment, cette forme de connexion, connue sous le nom de biais inverse. Lorsque la diode est inversée biaisée, il y aura toujours un faible courant inverse qui traverse la diode, connue sous le nom de courant de fuite. Lorsque la tension inverse de diode est augmentée à une certaine valeur, le courant inverse augmente considérablement, la diode perdra la conductivité à direction unique, cet état est appelé la décomposition de la diode. Le courant injecté doit être plus grand que la densité de courant critique de la diode laser, laser pour inverser les conditions sont remplies et émises. Densité critique du courant et de la température de surface, et indirectement bénéficier. Opérations à haute température, augmentation critique du courant, rentabilité et diminution ou même endommager les composants.