Principe du laser à diodes

La jonction p-n dans la diode laser est formée par deux couches d’arsénide de gallium dopé. Il a deux extrémités plates, parallèles à un miroir d’extrémité (surface très réfléchissante) et une réflexion partielle. La longueur d’onde de la lumière à émettre est directement liée à la longueur de la jonction. Lorsque la jonction p-n est positivement compensée par une source de tension externe, les électrons se déplacent à travers la jonction et sont réassemblés comme des diodes ordinaires. Lorsque les électrons et les trous sont combinés, les photons sont libérés. Ces photons frappent les atomes, provoquant la libération d’un plus grand nombre de photons. À mesure que le courant de biais vers l’avant augmente, plus d’électrons entrent dans la région appauvrie et plus de photons sont émis.