Laser à diode TO9 2W 660nm
Caractéristiques:
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Diode laser bleue 2W à 660nm
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Très focalisable et capable d'être bien-collimatée
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Compact TO 9 mm TO-Emballage en boîte
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Large plage de températures de fonctionnement de 0 degré à 65 degrés
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La technologie laser bleu au nitrure de gallium permet des durées de vie plus longues à des températures élevées
- Oxymétrie
- Tests et analyses de matériaux
- Excitation fluorescente
- Projecteur laser
- Tests de qualité des aliments
Spécification
Numéro d'article: TO660DL2
Nom d'article: 660nm 2W au laser à diode
| Optique | |
| Longueur d'onde centrale | 660 nm ± 10 nm |
| Puissance de sortie | 2W |
| Taille de l'émetteur | 110um |
| Électrique | |
| Courant de seuil lth | 0.5A |
| Courant de fonctionnement Lop | 2.1A |
| Tension de fonctionnement | 2.2V |
| Thermique | |
| Température d'essai | 25 degrés |
| Température de stockage | -40 ~ 80 degrés |
Dessin:
Pour monter les longueurs d'onde incluses : 405 nm, 445 nm, 450 nm, 520 nm, 635 nm, 638 nm, 640 nm, 650 nm, 660 nm, 780 nm, 785 nm, 795 nm,808 nm, 810 nm, 830 nm, 850 nm, 860 nm, 905 nm, 940 nm, 980 nm, 1050 nm, 1060 nm, 1064 nm, 1300 nm, 1310 nm, 1550 nm, 1653 nm, 2004 nm, 2327 nm, etc.
D'autres longueurs d'onde peuvent également être personnalisées, n'hésitez pas à vous renseigner !
Laser à diode TO9 2 W 660 nm par rapport aux autres lasers à semi-conducteurs haute puissance, cette diode laser rouge est relativement peu affectée par la température de fonctionnement, avec une plage de température de fonctionnement du boîtier de -40 C à 80 C. La durée de vie typique à 25 degrés est de 20 000 heures. Cette diode laser rouge constitue donc un choix fiable pour un large éventail d’environnements et d’applications. De plus, ce laser GaN possède un boîtier spécial TO5 (9 mm) qui lui confère une résistance thermique inférieure à celle typique des diodes laser de ce niveau de puissance. Le TO-Can de 9 mm est également hermétiquement fermé, protégeant la puce laser à semi-conducteur de la poussière et d'autres contaminants. En revanche, les diodes laser rouge et proche infrarouge haute puissance nécessitent généralement un boîtier de type C, dont les surfaces sont exposées.
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