Photodiode PIN en silicium 400 nm 1100 nm

Photodiode PIN en silicium 400 nm 1100 nm

PD8TO411
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Description
Brandnew Technology, l'un des principaux fabricants et fournisseurs de lasers à diode en Chine, dispose d'une usine professionnelle qui fabrique des photodiodes à broches en silicium de haute qualité 400 nm 1100 nm et les vend à un prix compétitif. Bienvenue dans la vente en gros de nos produits fabriqués en Chine.

 

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Photodiode PIN en silicium 400 nm 1100 nm

Caractéristiques:

  • Généralement de 400 nm à 1 100 nm, couvrant l'UV jusqu'au proche -infrarouge.
  • Paquet TO8

Applications :

  • Communication optique
  • Utilisé dans des appareils tels que les oxymètres de pouls.

Spécification:

Numéro d'article: PD8TO411

Nom de l'article : photodiode PIN en silicium.

 

Notes maximales absolues

   

Tension de fonctionnement

40 V
Puissance optique saturée

0.3

(W/cm2)

Température de soudure maximale 260 degré
Température de fonctionnement -40~+100 degré
Température de stockage -55~+125 degré
Valeur opto-électronique (T=25 degré)    
Plage de réponse spectrale 400~1100 nm
Diamètre actif 8 mm
Longueur d'onde de réponse maximale 930 nm
Réactivité 0.63 A/W
Courant sombre 3 n / A
Temps de montée 20 ns
Capacité de jonction VR=15V f=1MHz 70 pF
Tension de claquage 25 degré

 

Dessin:

 

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