Le VCSEL, c'est-à-dire le laser à émission de surface à cavité verticale, combine les avantages d'une puissance de sortie élevée, d'une efficacité de conversion élevée et d'un faisceau de haute qualité. Comparé à l'EEL laser à LED et à émission par les bords, il présente les avantages de la précision, de la miniaturisation, de la faible consommation d'énergie, de la fiabilité et d'autres aspects supérieurs à tous égards.
Les dispositifs VCSEL ont deux structures de base. L'une est une structure à émission par le haut : elle est développée sur un substrat GaAs de type n à l'aide de la technologie MOCVD, le DBR est utilisé comme un miroir de cavité laser et la région active du puits quantique est prise en sandwich entre le n-DBR et le p-DBR entre . L'autre est la structure d'émission inférieure, qui est généralement utilisée pour produire la bande 976-1064 nm. Habituellement, le substrat est aminci à moins de 150 µm pour réduire la perte d'absorption du substrat, puis une couche de revêtement antireflet est développée pour améliorer la qualité du faisceau laser. Enfin, la puce de gain installée sur le dissipateur thermique.
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