Réseau laser à diode G-Stack refroidi par conduction haute puissance

Nov 14, 2019

Laisser un message

Conception spéciale pourbesoins militaires, de pompage, d'éclairage et de diodes directes.

Quatre modèles pour différentes applications. La longueur d'onde est de 808 nm et 9XX nm.

15735432168920561


Optique

Longueur d'onde centrale λ

808 nm ± 3 nm9xxnm ± 3 nm

Puissance de sortie par bar

100/200/300
100
Largeur spectrale FWHM≤4 nm≤4 nm

Nombre de barres

1~36
1~36

Divergence d'axe rapide (FWHM)

GG lt; 40
GG lt; 40

Divergence d'axe lent (FWHM)

GG lt; 12
GG lt; 12

Mode de polarisation

TE
TE

Électrique

Courant de fonctionnement Iop

100/200/300A100A

Courant de seuil Ith

15/20/25A10A

Tension de fonctionnement Vo

≤2V / bar

≤2V / bar

Efficacité de conversion de puissance

≥45%

≥45%

Thermique

Température de fonctionnement

-45~60℃

-45~60℃

Température de stockage

-55~80℃

-55~80℃

Meilleure température

25℃

25℃



300W 940nm Laser Diode Stack for Military