Diode laser VCSEL 850 nm

Diode laser VCSEL 850 nm

Puissance de sortie de 4mW-50W
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Description

 

Diode laser VCSEL 850 nm


Caractéristiques

Lasers à émission de surface à cavité verticale

850nm VCSEL, longueur d'onde 940nm est disponible

Puissance de sortie de 4mW-50W, pour votre choix

TO46, ensembles de baies en option

Technologie d'isolation d'oxyde

Temps de montée court

Grande fiabilité

Facile à collimater


Applications:

Lidars multicanaux

Rideau laser

Capteurs de télémètre

Capteurs 3D

Détection 3D


500mW 850nm VCSEL Diode

Fiche technique:


Paramètres

Typ.

Puissance optique d'impulsion

50W

Courant de seuil

0.1A

Courant d'impulsion avant

120A

Zone d'émission

370*371um

Longueur d'onde de crête

850 nm

Tension directe d'impulsion

38V

Angle de faisceau

20Degrés

Décalage de longueur d'onde

0,07 nm/℃

Temps de montée

2ns

Température de soudage

260℃

Température de fonctionnement du boîtier

-40~85℃

Température de stockage

-40~105℃


Dessin d'emballage :

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FAQ:

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