Laser à diode à émetteur unique 1 W 785 nm, montage F-, emballé

Laser à diode à émetteur unique 1 W 785 nm, montage F-, emballé

Numéro d'article: FM785DL1
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Description

 

Laser à diode à émetteur unique 1 W 785 nm, montage F-, emballé

 

Aperçu

 

Caractéristiques

Puissance de sortie de 1 watt

Longueur d'onde centrale de 785 nm

Plusieurs conceptions de packages incluent des supports CoS, des supports C- et F-.

Haute efficacité électro--optique

Haute fiabilité

Applications

Pompage laser

Médical

Éclairage

Traitement des matériaux

Spectroscopie Raman

2W 785nm Diode Laser F-Mount Packaged

 

Le spectre Raman est un spectre de diffusion. La spectroscopie Raman est une méthode analytique basée sur l'effet de diffusion Raman découvert par CV Raman, un scientifique indien. Le spectre de diffusion avec une fréquence différente de celle de la lumière incidente est analysé pour obtenir des informations sur les vibrations et la rotation moléculaires, et est appliqué à l'étude de la structure moléculaire.

 

 

Fiche technique :

Numéro d'article: FM785DL1

Optique  
Longueur d'onde centrale λ 785 nm
Tolérance de longueur d'onde ±5 nm
Puissance de sortie 1W
Largeur spectrale FWHM 4 nm
Efficacité des pentes 1.0W/A
Rapide-Divergence d'axe (FWHM) 30 degrés
Lente-Divergence d'axe (FWHM) 10 degrés
Électrique  
Courant de fonctionnement Iop 1.2A
Courant de seuil Ith 0.5A
Tension de fonctionnement Vop 1.8V
Efficacité de conversion de puissance 50%
Thermique  
Température de fonctionnement 15 ~ 55 degrés
Température de stockage -30 ~ 70 degrés
Coefficient de température de longueur d'onde 0,3 nm/degré
 

 

Dessin

34`D9Y7EO~Q4]KE0[9`V1~T

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