Diode VCSEL 850 nm 2 W

Diode VCSEL 850 nm 2 W

VCSEL multimode 850 nm
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Description

 

Diode VCSEL 850 nm 2 W

Caractéristiques

⚫ VCSEL multimode 850 nm

⚫ Faible dérive de longueur d'onde

⚫ Technologie d'isolation des oxydes

⚫ Courant de seuil bas

⚫ Haute fiabilité

⚫ Facile à collimater

⚫ Surface de cavité verticale émettant

vcsel

Applications

⚫ Capteurs 3D

⚫ Lidars

⚫ Éclairages IR

⚫Applications médicales

⚫ Capteurs de proximité

⚫ Applications militaires

850nm

 

 

Caractéristiques:

Numéro d'article: VC850SMD2

Nom de l'article : diode VCSEL 850 nm 2 W.

Paramètres Typ.
Puissance optique 2W
Courant de seuil 0.4A
Courant direct 2.7A
Efficacité de conversion de puissance 36%
Efficacité des pentes 0.96W/A
Taille de la matrice 960×950um
Longueur d'onde maximale 850 nm
Tension avant du laser 2.25V
Résistance en série 0.83Ω
Angle de faisceau 20Degrés
Température de longueur d'onde. Dérive 0,07 nm/degré
Température de soudure 260(5s) degré
Substrat Cu/Ag
Température de fonctionnement du boîtier -40 ~ 80 degrés
Température de stockage -40 ~ 105 degrés

Graphique LIV et longueur d'onde

I{PRN$C271~{HF4H~}[7I9H

Schémas mécaniques (unité : mm)

Q7_VH}~~0KF]DQBH_38L4BD

Courbe de brasage par refusion SMT

 

5SD82EUVT7`AI2S_W89DQJQ

 

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