Barre nue à diode laser 100 W 808 nm

Barre nue à diode laser 100 W 808 nm

Puce laser à barre unique 100 W 808 nm
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Description

Barre nue à diode laser 100 W 808 nm

 

20W 940nm Single Emitter Laser Chip
 
 

Description du produit

• Barres à faible facteur de remplissage (généralement inférieur ou égal à 30 % de facteur de remplissage) comportant un produit de paramètre-paramètre-de faisceau de croisement (BPP) adapté au couplage de fibres.
• Barres de puissance-élevées (facteur de remplissage typique. 50 %) pour un fonctionnement en courant continu- jusqu'à 300 W et-impulsions dures (HP), adaptées au pompage optique et aux applications laser à-diode-directe (DDL).
• Barres QCW (typ. FF > 65 % de facteur de remplissage) : pour un fonctionnement jusqu'à 500 W qcw- et à longue-impulsion (lp), adaptées au pompage optique et aux applications médicales.
Avantages:
• Qualité la plus élevée : nous surveillons strictement la production de nos produits semi-conducteurs selon des processus clairement définis.
• Puissant : puissance de sortie élevée et fiable et caractéristiques de faisceau idéales.
• Économiques : Nos semi-conducteurs sont très efficaces et se caractérisent par une longue durée de vie.

Fiche de données:

Numéro d'article: LC808SB100

Optique

Tapez

Longueur d'onde centrale

808 nm

Puissance de sortie

100W

Mode de travail

CW

Largeur du spectre

4 nm

Nombre d'émetteur

47

Largeur de l'émetteur

100μm

Pas d'émetteur

200μm

Facteur de remplissage

50%

Largeur de la barre

10000μm

Électrique

 

Courant de fonctionnement Iop

105A

Courant de seuil Ith

18A

Tension de fonctionnement Vop

1.8V

Efficacité des conversions

55%

Thermique

 

Température de fonctionnement

15-35 degrés

Coefficient de température de longueur d'onde

0,28 nm/degré

 

 

202003181418552430667

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